產品詳情
提供oem，德國進口霍沃德HWPC1智能工業級單晶硅壓力變送器是HOWD表采用世界上最先進的單晶硅壓力傳感器技術與專利封裝工藝，精心研制出的一款國際領先技術的超高性能壓力變送器。單晶硅壓力傳感器位于金屬本體最頂部，遠離介質接觸面，實現機械隔離和熱隔離；玻璃燒結一體的傳感器引線實現了與金屬基體的高強度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力。這些獨創的單晶硅壓力傳感器封裝技術確保了HWPC1單晶硅壓力變送器可從容應對極端的化學場合和機械負荷，同時具備極強的抗電磁干擾能力，足以應對最為苛刻的工業環境應用，是名副其實的隱形儀表。
主要參數 應用場合
測量介質
壓力類型 表壓
量程范圍 1k Pa-a，詳見選型表 40MP
輸出信號 4-20mA、4-20mA+HART及其它
參考精度
±0.075%量程上限，可選±00.5%量程上限，
詳見規格參數
電源影響
當供電電壓在10.5/16.5-55VDC內變化， 其零點和量程的變化應不超過 ±0.005%量程上限/V
安裝位置影響
任意位置安裝 最大不超過 ， 400Pa可通過清零功能校正
振動影響
按 / GB T1827./ 3 IEC61298-3測試，<0 1. %量程上限
輸出信號
二線制4-20mA，用戶可選線性輸出或平方根輸出，數字過程變量疊加于4-20mA信號上，適用于任何符合HART協議的主機
環境溫度影響（典型值）
在-2 8 0-0℃范圍內總影響量 ±（0.1+0.15TD）%量程上限
絕緣電阻
≥20MΩ@參考條件下，100VDC
性能測試標準及基準條件
測試標準：GB/T28474/IEC60770；基準條件：從零點開始的量程；硅油充液，316L不銹鋼隔離膜片，4-20mA模擬輸出，端基微調至設定值
性能指標
總體性能包括并不限于【參考精度】、【環境溫度影響】、和其它影響的綜合誤差
典型精度：±0. %量程上限 075
年穩定性：±0.2%量程上限/5年
參考精度
依據標準和測試基準條件，包括線性（ ）、遲滯、重復 BFSL性。校準溫度：20℃±5℃
線性輸出精度
TD≤10（注1）±0.075 %量程 上限
10
標稱量程：6kPa40kPa、250kPa1MPa、3MPa10MPa、40MPa10
注 ： （ 1 TD Turn down）是指量比，TD=URL/｜URV-LRV｜
快速詢價：18640028367羅
主要參數 應用場合
測量介質
壓力類型 表壓
量程范圍 1k Pa-a，詳見選型表 40MP
輸出信號 4-20mA、4-20mA+HART及其它
參考精度
±0.075%量程上限，可選±00.5%量程上限，
詳見規格參數
電源影響
當供電電壓在10.5/16.5-55VDC內變化， 其零點和量程的變化應不超過 ±0.005%量程上限/V
安裝位置影響
任意位置安裝 最大不超過 ， 400Pa可通過清零功能校正
振動影響
按 / GB T1827./ 3 IEC61298-3測試，<0 1. %量程上限
輸出信號
二線制4-20mA，用戶可選線性輸出或平方根輸出，數字過程變量疊加于4-20mA信號上，適用于任何符合HART協議的主機
環境溫度影響（典型值）
在-2 8 0-0℃范圍內總影響量 ±（0.1+0.15TD）%量程上限
絕緣電阻
≥20MΩ@參考條件下，100VDC
性能測試標準及基準條件
測試標準：GB/T28474/IEC60770；基準條件：從零點開始的量程；硅油充液，316L不銹鋼隔離膜片，4-20mA模擬輸出，端基微調至設定值
性能指標
總體性能包括并不限于【參考精度】、【環境溫度影響】、和其它影響的綜合誤差
典型精度：±0. %量程上限 075
年穩定性：±0.2%量程上限/5年
參考精度
依據標準和測試基準條件，包括線性（ ）、遲滯、重復 BFSL性。校準溫度：20℃±5℃
線性輸出精度
TD≤10（注1）±0.075 %量程 上限
10
標稱量程：6kPa40kPa、250kPa1MPa、3MPa10MPa、40MPa10
注 ： （ 1 TD Turn down）是指量比，TD=URL/｜URV-LRV｜
快速詢價：18640028367羅
