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光刻的目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上日本HD離子傳輸諧波SHD-14-50-2SH。光刻膠是一種光敏的化學物質,它通過深紫外線(或極紫外線)曝光來印制掩模板的圖像。涂膠和顯影設備是用來完成光刻的一系列工具的組合。光刻過程包括預處理、涂膠、甩膠、烘干,然后用機械臂將涂膠的硅片送入光刻機。以步進式光刻機為例,日本HD離子傳輸諧波SHD-14-50-2SH在進行硅片和掩模板的對準、聚焦后,步進式光刻機先曝光硅片上的一小片面積,隨后步進到硅片的下一區域并重復這一過程。
(3)刻蝕 刻蝕是在沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形。日本HD離子傳輸諧波SHD-14-50-2SH刻蝕工藝一般使用等離子體刻蝕機、等離子體去膠機和濕法清洗設備。現在主要使用干法等離子體刻蝕工藝。



